材料中每一個晶向的排列方向不同，可以利用遂穿對比圖像進行晶界或晶粒大小分佈的分析。 fib fib 八臺業界高階的FEI Helios-660 Dual Beam FIB設備，提供您絕佳影像品質與機臺穩定性。
具備超高解析度的離子束及電子束的Dual fib Beam fib2025 FIB，能針對樣品中的微細結構進行奈米尺度的定位及觀察。 離子束最大電流可達65nA，快速的切削速度能有效縮短取得資料的時間。 Dual Beam FIB(雙束聚焦離子束)機臺能在使用離子束切割樣品的同時，用電子束對樣品斷面(剖面)進行觀察，亦可進行EDX的成份分析。
fib: 雙束聚焦離子束 (Dual Beam FIB)
若芯片部份區域有問題,可通過FIB對此區域隔離或改正此區域功能,以便找到問題的癥結。 FIB還能在最終產品量產之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產品的上市時間。 利用FIB修改芯片可以減少不成功的設計方案修改次數，縮短研發時間和週期。
- 若芯片部份區域有問題,可通過FIB對此區域隔離或改正此區域功能,以便找到問題的癥結。
- 材料中每一個晶向的排列方向不同，可以利用遂穿對比圖像進行晶界或晶粒大小分佈的分析。
- 這一技術的特點是從納米或微米尺度的試樣中直接切取可供透射電鏡或高分辨電鏡研究的薄膜。
- 試樣可以爲IC芯片、納米材料、顆粒或表面改性後的包覆顆粒，對於纖維狀試樣，既可以切取橫切面薄膜也可以切取縱切面薄膜。
- 用FIB對芯片電路進行物理修改可使芯片設計者對芯片問題處作針對性的測試,以便更快更準確的驗證設計方案。
- 離子束最大電流可達65nA，快速的切削速度能有效縮短取得資料的時間。
這一技術的特點是從納米或微米尺度的試樣中直接切取可供透射電鏡或高分辨電鏡研究的薄膜。 試樣可以爲IC芯片、納米材料、顆粒或表面改性後的包覆顆粒，對於纖維狀試樣，既可以切取橫切面薄膜也可以切取縱切面薄膜。 fib2025 對含有界面的試樣或納米多層膜，該技術可以製備研究界面結構的透射電鏡試樣。 用FIB對芯片電路進行物理修改可使芯片設計者對芯片問題處作針對性的測試,以便更快更準確的驗證設計方案。