有別於只能橫向搭橋的EMIB，ODI四周都有「上下左右均可達」的路由功能，填補了EMIB和Foveros之間的鴻溝，為封裝內眾多小晶片之間的連接，提供了更好的靈活性。 AMD 銳龍R7-5800X3D 的底層 Zen3架構與八核16線程AMD Ryzen7-5800X 相同，此外Ryzen75800X3D 的不同之處在於引入了 AMD 新的3D 堆疊緩存，稱爲3D V-Cache。 這個額外的裸片與5800X 的底層核心複合裸片 （CCD） 結合在一起(儘管裸片本身已經被化學刮掉，以便爲新的高速緩存裸片騰出空間)。
同時期的NexGen(隨後被AMD併購)Nx586-PF，也將0.44µm製程的Nx586和相同製程的Nx587輔助浮點運算器，塞在同1顆封裝。 24 個通道中有 4 個用於與主板芯片組的互連，剩下 20 個通道 Gen 4.0 用於其他用途。 從 Gen 3.0 來看，Gen 4.0 x8 鏈路將提供類似於 PCIe 3.0 x16 的帶寬。 CPU 的另外四個 PCIe 通道專爲快速存儲而設計，例如與 PCIe 4.0 NVMe 兼容的 SSD。 硬件本身只是輸出性能的一部分，因爲精心打造的軟件作爲補充幾乎同樣重要。
emib intel: 華爲 Pocket S可以防水嗎？
但實際上因爲成本和良率的問題，被Intel拿來對比的傳統2.5D封裝根本沒幾個人用（Xilinx是個例外，互聯複雜度太高了），競爭對手們都有自己的低成本2.5D封裝技術，比如臺積電主推的是InFO封裝，而且已經量產了（蘋果A10用的就是）。 Intel其實在這方面是落後於人的，而且將來大家的目標都是跨過2.5D、邁向3D，所以也就別扯什麼黑科技了。 Intel的EMIB全稱爲“Embedded Multi-Die Interconnect Bridge”，從命名也能看出來，這個其實是一個2.5D封裝技術，而不是什麼所謂的“在同一個芯片上使用不同工藝製程”。 客戶可節省寶貴的主機板空間、減少主機板層數，以及整體物料清單（BOM）成本。
- Co-EMIB允許兩個或更多個Foveros元件互連，而基本上具備的是單個晶片的性能。
- 英特爾強調迅速轉往下一世代 EUV 工具的計畫，稱為高數值孔徑（High NA）EUV。
- Intel推出的基礎設施處理器（IPU）是款可程式化的網路裝置，能夠在雲端和通訊服務等應用情境分擔傳統CPU的運算負載，很明顯就是與NVIDIA的DPU相互競爭。
- Intel官方宣佈，將於北京時間2023年1月10日22點舉辦新品發佈會，正式發佈第四代至強可擴展處理器(代號Sapphire Rapids)。
- 英特爾強調，擁有基礎製程創新的悠久歷史，推動產業前進並破除限制。
- 2025 與未來：Intel 20A 之後，改良自 RibbonFET 的 Intel 18A 進入開發階段，預計 2025 年初問世，將為電晶體帶來另一次重大性能提升。
在EMIB的架構下，除了面積放大下，因為整合多顆IC，要塞更多的線路連通每一顆IC，所以載板的層數也要加層，曾子章表示，以前IC載板可能上下是2-4層，未來可能到8層。 第二種應用將ODI完全置於晶片下方，用來連接其他的功能單元，如I/O、記憶體或輔助處理器(請各位科科盡情發揮想像力補完這個失落的環節)。 藉由ODI，「頂樓」晶片可以與其他小晶片水平互連，類似於EMIB，但亦可運用矽穿孔連接底層晶片，近似於Foveros。
emib intel: 華爲 Pocket S是DC調光方式嗎？
經過之前零零星星的曝光後，現在我們看到了Intel發燒新U的全部型號、規格有平臺特性。 搭配C741芯片組主板，提供20條PCIe3.0、20個SATA6Gbps、10個USB5Gbps，沒有Wi-Fi。 emib intel 它採用多工藝、多芯片整合製造，混合5種工藝，總計1000多億個晶體管，分爲多達47個模塊，包括基礎單元、計算單元、Foveros封裝單元、EMIB封裝單元、Rambo緩存單元、HBM內存單元、Xe鏈路單元，等等。 emib intel2025 可以看出Intel的EMIB根本不是說的什麼在同一個Die上同時使用10nm、22nm等不同工藝，而是使用10nm、22nm分別生產多個Die，然後將它們封裝到一起的技術。
- EMIB和Foveros並非毫無缺點，尤其後者雖然可享受到驚人的晶片之間頻寬(畢竟都「面對面」疊在一起了)，但要如何替「頂樓」供電卻是一大挑戰，矽穿孔會增加電阻，而提高矽穿孔數量以降低電阻，卻又會增加晶片面積(Intel估計是介於20-70%)。
- Foveros Direct 是 Foveros Omni 的補充技術，同樣預計 2023 年問世。
- 有趣的是它的運算單元採用16核心的Arm Neoverse N1處理器。
- 既然這麼重要的一個組成部分，NVIDIA也是再一次進行了覆盤，其也在通過這個事情告訴大家，顯卡還有買AMD等競爭對手的必要嗎？
- 銳龍R7 5800X3D硅芯片不是在 AMD 製造的，而是在臺積電的代工廠製造的。
4000mAh華爲 Pocket S電池容量是4000mAh，手機支持最大10V/4A華爲超級快充，兼容10V/2.25A或4.5V/5A或5V/4.5A或9V/2A或5V/2A充電器，數據接口爲USB Type-C，USB 2.0。 考慮到這款手機是摺疊屏，因此在內部電池上市兩塊電池的設計，比同尺寸的直板手機電池小一些，但已經可以滿足一天的基本使用。 2022年4月20日，AMD 宣佈 R75800X3D 遊戲處理器上市，售價3099元。
emib intel: 英特爾公佈全新節點命名方式，加速部署全新製程與先進封裝
此執行方式支援更小巧的外型規格及簡單的使用模式，進而形成高度靈活、易於使用、可擴充的解決方案。 此功能特色的一個範例是配備嵌入式（eSRAM），它以更高的頻寬補充現有的區塊 RAM，相較於離散式 QDR IV-10661，聚合（讀取及寫入）頻寬更高 11.25 倍，總功耗降低 2.6 倍。 增強的嵌入式 SRAM 十分適合需要最高層級隨機交易率（RTR）的應用，有助於取代或最小化對離散式 QDR 的需求，以及零 EMIF I/O 消耗。 英特爾在SEMICON West公佈的三種新技術，包括： emib intel Co-EMIB：結合2D和3D堆疊技術，可能會首次用作連接Aurora超級計算機中CPU和GPU核心的方式。
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Foveros Direct：為降低互連電阻，改採直接銅對銅接合技術，模糊晶圓製造終點與封裝起點的界線。 Foveros Direct 能達到低於 10 微米的凸點間距，提升 3D 堆疊一個等級互連密度，為原先認為無法達成的功能性晶片分割開啟新頁。 Foveros Direct emib intel2025 是 Foveros Omni 的補充技術，同樣預計 2023 年問世。 Intel 4：全面使用極紫外光（EUV）微影技術，透過超短波長光，印製極小形狀。 伴隨每瓦效能提升約 20%，以及面積改進，Intel 4 將於 2022 下半年準備量產，2023 年開始出貨，客戶端 Meteor Lake 和資料中心 Granite Rapids 將率先採用。
emib intel: 華爲 Pocket S外屏有哪些功能？
Foveros：汲取晶圓級封裝能力優勢，提供首款 3D 堆疊解決方案。 Meteor Lake 將是 Foveros 客戶端產品實作的第二世代，具 36 微米凸點間距，晶片塊橫跨多種製程節點，熱設計功耗 5~125 瓦。 英特爾表示，產業早已意識到，目前以奈米為基礎的製程節點命名方式，並不符合自 1997 年起採用閘極長度為準的傳統。 英特爾最新公佈製程節點全新命名結構，創造清晰且一致性架構，給予客戶更精確的製程節點認知。 新命名將 10 奈米 SuperFin 加強版正名為 7 奈米，7 奈米正名為 4 奈米。 還首次宣佈 3 奈米要在 2023 下半年投片量產，也公佈 2 奈米／20A Angstrom 埃米製程將在 2024 年量產，為高通產品代工。
emib intel: 真我 10s 官宣將於 12 月 16 日發佈：256GB 大內存 性能續航小霸王
俄羅斯入侵烏克蘭引發俄烏戰爭，許多俄羅斯人被迫加入軍隊上戰場，但也有另一羣人趁機逃往海外，掀起一波俄羅斯移民潮，周邊的小國亞美尼亞、塔吉克及喬治亞等國賺到了紅利，移民帶來大量的資產，推升匯率上揚，成為今年全球數一數二表現強勢的貨幣。 受到美國制裁禁令衝擊，臺積電於2020年9月15日之後，無法製造華為麒麟晶片，因此在臺積電斷供前，傳華為瘋狂囤貨手機晶片約880萬顆。 emib intel2025 據調查顯示，2022年第三季全球手機晶片出貨市佔率，華為海思當季出貨量已跌到0%，代表麒麟手機晶片庫存已消耗殆盡。
emib intel: 華爲 Pocket S有光學防抖嗎？
銳龍7 5800X3D上提供硬件虛擬化，大大提升了虛擬機性能。 使用高級矢量擴展 的程序可以在此處理器上運行，從而提高計算量大的應用程序的性能。 除了 AVX，AMD 還包括更新的 AVX2 標準，但不包括 AVX-512。 AMD方面已經在上個月搶先發布了基於Zen4架構的霄龍EPYC 9004系列，最多96核心，後續還會有Zen4c衍生版本，最多128核心。 採用 EMIB 的 SiP 整合可實現 FPGA 與輔助晶粒之間的最高互連密度。
emib intel: 華爲 Pocket S電池多大？
此外，「疊疊樂」也意味著難以散熱，因為壓在上面的晶片會阻礙熱流傳導的路徑。 這也是2.5D和3D之所以會並存的主因，像臺積電的InFO，其實也付出了「犧牲部份性能」的代價，不見得適用於高效能產品。 內屏6.9英寸，外屏1.04英寸，內屏最高支持120Hz刷新率華爲 Pocket S內屏是6. 7 億色，分辨率FHD+，2790 x1188 像素，最高支持120Hz刷新率，1440Hz高頻PWM調光，300Hz觸控採樣率，442 ppi；外屏是1.
利用高密度互連技術將EMIB和Foveros結合，實現低功耗的高頻寬，以及更好的I / O密度。 Co-EMIB允許兩個或更多個Foveros元件互連，而基本上具備的是單個晶片的性能。 AMD日前發佈了代號Genoa的第四代EPYC9004系列處理器，基於Zen4架構，最多96核心192線程，支持12通道DDR5內存、128條PCIe5.0。 根據路線圖，AMD還準備了一個Zen4c版本，產品代號Bergamo，主打多核心與高密度計算，最多128核心256線程、12通道DDR5，使用和Genoa同樣的SP5接口，互相兼容。 AMD還會推出同樣Zen4架構，集成3DV-Cache堆疊緩存的Genoa-X系列，面向電信基礎設施和邊緣計算的Siena，都會在明年陸續問世。 Intel 的近記憶體解決方案在相同的封裝內整合了鄰近 FPGA 的高密度 DRAM。
AMD3D V-Cache是適用於服務器和桌面應用程序的創新3D 堆疊封裝技術。 爲7nm x86-64CPU 實現 Hybrid-Bonded64MB 堆疊緩存，這是一種不同的處理器佈局方式，並且由於 CPU 製造商在芯片上放置組件的方式取得了進步，AMD 能夠在不製造大型 CPU 的情況下壓縮更多緩存。 AMD 僅在遊戲領域構建了額外的緩存，AMD表示它可以提供平均15% emib intel2025 的改進。 更多的 L3緩存允許處理器流式傳輸和存儲更多指令，從而減少從 RAM 中提取指令所需的次數。
GPU Max系列就是代號PowerVR的加速計算卡，Intel針對高性能計算加速設計的第一款GPU產品，基於全新的Xe HPC架構，和桌面上的Arc系列顯卡同源，也是業界唯一支持光追的HPC/AI GPU。 Intel CPU Max系列處理器、Intel GPU Max系列數據中心加速卡此前已經官宣了，但前者未透露詳細的型號、規格。 Intel也在這次活動中發表了更多Xe HPC運算卡的資訊，它能提供領先業界的浮點運算效能與運算密度，加速AI、高效能運算（HPC）以及多種大數據分析的工作負載。