如今，模組通常被冠以“PC”爲前綴的一組數字的名稱（PC66、PC100或者PC133—儘管數字代表的實際含義早就不是其原有的）。 有幾個DRAM性能的極限，最有名的就是讀取週期時間，是指對一個開放的行進行連續讀操作之間的間隔。 這個時間從100MHZ頻率的SDRAM的10納秒縮減爲DDR-400的5納秒，但是從DDR2-800和DDR3-1600就保持相對不變。 然而，通過操作接口電路，使基本讀取速度成倍提高，可實現帶寬的迅速增加。
從體激活到允許輸入讀/寫命令的間隔時鐘節拍數取決於內部特徵延時和時鐘頻率。 HY57V561620內部有4個體，爲了減少器件門數，4個體之間的部分電路是公用的，因此它們不能同時被激活，而且從一個體的激活過渡到另一個體的激活也必須保證有一定的時間間隔。 爲了實現這個功能，SDRAM需要增加對多個Bank的管理，實現控制其中的Bank進行預充電。
ssdram: 記憶體運作方式
還記得我們說過為什麼要在 CPU 裡面設暫存器的原因嗎？ 因為 CPU 要運算時，從暫存器中抓資料、會比跑到記憶體抓資料更快。 它佔用2-bit的庫地址（BA0–BA1）和13-bit的行地址（A0–A12），然後將那一行讀取入有着16,384個讀取放大器的庫的隊列。 一個512MB的SDRAM DIMM記憶體模組一般由8個到9個SDRAM晶片組成，每個晶片包含有512Mbit的存儲空間，每顆晶片為模組的匯流排提供了8個bit的寬度。 一個典型的512Mbit SDRAM晶片內部包含了4個獨立的16Mbyte大小的庫。 一個庫或者處於空閒狀態、忙碌狀態，或者介於兩者狀態之間。
- 一個自動刷新週期只能刷新存儲單元的一個行，每次刷新操作後內部刷新地址計數器自動加“1”。
- 在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的效能。
- 對讀操作DQM延遲2個時鐘週期開始起作用，對寫操作則是當拍有效。
- 另一個極限是CAS等待時間，是指提供一個地址與接受到相關數據之間的間隔。
對於突發寫操作必須保證在寫入預充電命令前寫操作已經完成，並使用DQM禁止繼續寫入數據。 預充電結束後回到空閒狀態，也可以再次被激活，此時也可以輸入進入低功耗、自動刷新、自刷新和模式設置等操作命令。 Flash也是一種非易失性儲存器（掉電不會丟失），它擦寫方便，訪問速度快，已大大取代了傳統的EPROM的地位。 由於它具有和ROM一樣掉電不會丟失的特性，因此很多人稱其為Flash ROM。 FLASH儲存器又稱快閃記憶體，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦出可程式設計（EEPROM）的效能，還不會斷電丟失資料同時可以快速讀取資料（NVRAM的優勢），U盤和MP3裡用的就是這種儲存器。
ssdram: 支援產品
還記得我們在 馮紐曼架構 一文中提到的小當家故事中，為大家解釋過 CPU 裡面也有一個儲存空間，叫做暫存器。 要運算時、CPU 會從記憶體中把資料載入暫存器、再讓暫存器中存的數字做運算，運算完再將結果存回記憶體中。 所以簡單來說，電腦在運作就像是辦公一樣，喝飲料、看書本、聽音響… 想一次使用越多東西、桌面（記憶體）就要越大。
1993年，三星開始展示其新出品的KM48SL2000 SDRAM，到2000年，SDRAM因為其卓越的性能，實際上取代了其它類型的DRAM在現代計算機中的位置。 SDRAM與DDR的主要差異 內存可分爲DRAM動態隨機存取內存和SRAM靜態隨機存取內存兩種。 兩種存儲器都是揮發性的內存，SRAM的主要使用flip-flop正反器，通常用於快取，而DRAM則是使用電容器及晶體管組成。 L-Bank交錯自動預充電/讀取時序圖（可點擊放大）：L-Bank 0與L-Bank ssdram2025 3實現了無間隔交錯讀取，避免了tRP對性能的影響。 顯然，PFH是最理想的尋址情況，PM則是最糟糕的尋址情況。
ssdram: 技術細節
在使用NAND器件時，必須先寫入驅動程式，才能繼續執行其他操作。 向NAND器件寫入資訊需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬對映。 另外一種EEPROM是通過電子擦出，價格很高，寫入時間很長，寫入很慢。 此回，DDR4-xxxx以及PC4-xxxx中的「xxxx」都代表資料傳輸率（MT/s），「DDR4-xxxx」適用於記憶體晶片而「PC4-xxxx」則用於已組裝完成的DIMM記憶體模組。 此前DDR3以及更早的模組，標示記憶體的頻寬（MB/s），所以像是PC4-1866對比PC ，它們的頻寬是一樣的。 乘以8是由於DDR4記憶體模組的資料匯流排為64位元，以此除以8位元每位元組而得。
ssdram: 我們可以如何幫您?
內部狀態包括模式寄存器設置狀態、激活狀態、預充狀態、寫狀態、讀狀態、預充讀狀態、預充寫狀態、自動刷新狀態及自我刷新狀態。 當然還包括bank[…]地址信號，這個需要根據不同的型號來確定，同樣爲輸入信號；地址信號A[…]，爲輸入信號；數據信號DQ[…]，爲輸入/輸出雙向信號；數據掩碼信號DQM，爲輸入輸出雙向信號，方向與數據流方向一致，高電平有效。 要尋址的行所在的L-Bank中已經有一個行處於活動狀態（未關閉），這種現象就被稱作尋址衝突，此時就必須要進行預充電來關閉工作行，再對新行發送行有效命令。 結果，總耗時就是tRP+tRCD+CL，這種情況我們稱之爲頁錯失（PM，Page Miss）。
ssdram: 記憶體和硬碟差在哪？
預充電中重寫的操作與刷新操作一樣，只不過預充電不是定期的，而只是在讀操作以後執行的。 因此，內存不但要每64ms刷新一次，而且每次讀操作之後還要刷新一次。 行激活命令選擇處於空閒狀態存儲體的任意一個行，使之進入準備讀/寫狀態。
ssdram: 技術支援
我們可以看到一些SDRAM芯片組的資料中會指出可以同時打開多少個頁的指標，這可以說是決定其內存性能的一個重要因素。 而且，在效能提升的前提下，還比DDR3 SDRAM擁有更好的功耗表現，得益於更高的記憶體顆粒製程以及DDR4只有1.05V至1.2V的供電電壓（DDR3的為1.2V至1.65V），最大電流值僅和DDR3相當。 對於伺服器市場，還提供Banks切換特性，但也就這樣使得伺服器用DDR4記憶體與電腦版本的DDR4記憶體從物理層面上就無法互用。
ssdram: 揮發性記憶體（DRAM / SRAM）構造剖析
第一代DDR記憶體Prefetch為2bit，是SDR的2倍，運作時I/O會預取2bit的資料。 舉例而言，此時DDR記憶體的傳輸速率約為266～400 MT/s不等，像是DDR 266、DDR 400都是這個時期的產品。 創見工業級隨身碟JetFlash 280T採用96層3D快閃記憶體與高速USB 3.1 Gen 1傳輸介面，輕巧的尺寸與高相容性適合行動儲存相關應用，優異的效能與耐用度滿足醫療、軍事、工業自動化等應用的嚴苛需求。 JetFlash 280T可與創見UFD Security Toolbox加密軟體搭配使用，執行密碼加密設定，亦可透過簡訊將一次性密碼傳至特定手機門號，進行隨身碟解鎖，資料安全更穩固。
ssdram: 模組封裝
FPGA開發板爲什麼要使用SDRAM SDRAM有一個同步接口，在響應控制輸入前會等待一個時鐘信號，這樣就能和計算機的系統總線 同步。 在讀寫操作期間，CKE變低後的下一個節拍凍結輸出狀態和突發地址，直到CKE變高爲止。 在所有的體都處於空閒狀態時，CKE變低後的下一個節拍SDRAM進入低功耗模式並一直保持到CKE變高爲止。
升級系統記憶體是提升電腦整體效能最簡單，且經濟實惠的方式之一。 按照我們詳細的逐步指示，安裝超簡單，不需要任何電腦技巧！ 雙倍資料速率 SDRAM 於 2002 年打入主流市場，為 SDR SDRAM 帶來一波正面的革命。
起始資料傳送率由2133MT/s起跳，上限暫定為4266MT/s。 考量到價格高和功耗大，目前只能在一些很嚴苛的地方來使用 SRAM，比如上面提到的快取（Cache）。 「寫入記憶體」的動作，就是由外部的資料線、對電容進行充電或放電，從而完成寫入 1 或 0 的數位資料。 由於電容會有漏電的現象，導致電位差不足而使記憶消失，因此除非電容經常週期性地充電，否則無法確保資料能長久保存起來。 事實上，我們上面講的小當家炒菜和桌面所講到的記憶體，都是用 RAM。 所以 Lynn 的電腦硬碟是 128 GB、RAM 只有 4 GB（多開幾個 Chrome 分頁就會爆炸的真相…）。
ssdram: 資料傳輸
NAND Flash沒有采取記憶體的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個位元組，採用這種技術的Flash比較廉價。 使用者不能直接執行NAND Flash上的程式碼，因此好多使用NAND Flash的開發板除了使用NAND Flah以外，還作上了一塊小的NOR Flash來執行啟動程式碼。 DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth SDRAM）：DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的頻寬，DDR4的傳輸速率目前可達2133～3200 MT/s。 DDR4 新增了4 個Bank Group 資料組的設計，各個Bank Group具備獨立啟動操作讀、寫等動作特性，Bank ssdram2025 Group 資料組可套用多工的觀念來想像，亦可解釋為DDR4 在同一時脈工作週期內，至多可以處理4 筆資料，效率明顯好過於DDR3。 另外DDR4增加了DBI（Data Bus Inversion）、CRC（Cyclic Redundancy Check）、CA parity等功能，讓DDR4記憶體在更快速與更省電的同時亦能夠增強信號的完整性、改善資料傳輸及儲存的可靠性。 創見M.2 2280固態硬碟MTE720T以112層3D NAND快閃記憶體打造，搭載高速PCIe Gen 4 x4介面，符合最新NVMe 1.4規範，內建8通道控制器，帶來前所未有的傳輸效能。
ssdram: 資料傳輸
無論是任何系統，您都無法將 SDRAM、DDR、DDR2、DDR3、DDR4 或 DDR5 記憶體混搭在同一張主機板上。 每個指令都需要一個列地址，但是因爲每個晶片同時能處理8-bit，因此有2048個可能的列地址，不過只需要11個地址行（A0–A9, A11）。 100MHz的SDRAM芯片第一次出現時，有些製造商開始販賣“100 MHz”的模組，而這些模組是不能在那個時鐘頻率下正常工作的。 有鑑於此，Intel發佈了PC100的標準，描述了具體要求，爲生產能在100MHz頻率下工作的內存模組提供了指引。 這個標準影響深遠，“PC100”這個術語很快成了100MHz SDRAM模組的通用標識。
CKE無效時，SDRAM內部所有與輸入相關的功能模塊停止工作。 管線意味着芯片可以在處理完之前的指令前，接受一個新的指令。 在一個寫入的管線中，寫入命令在另一個指令執行完之後可以立刻執行，而不需要等待數據寫入存儲隊列的時間。 在一個讀取的流水線中，需要的數據在讀取指令發出之後固定數量的時鐘頻率後到達，而這個等待的過程可以發出其它附加指令。 這種延遲被稱爲等待時間，在爲計算機購買內存時是一個很重要的參數。 Nand Flash是IO裝置，資料、地址、控制線都是共用的，需要軟體區控制讀取時序，所以不能像Nor Flash、記憶體一樣隨機訪問，不能EIP（片上執行），因此不能直接作為boot。
2007年開始就有DDR4標準的一些早前資訊被公開，2008年8月份於舊金山舉行的英特爾開發者論壇（IDF）上，一位來自奇夢達的出席演講嘉賓提供更多關於DDR4的公開資訊。 當年關於DDR4的描述中，DDR4將使用30奈米製程、1.2伏的運行電壓、常規匯流排時脈速率在2133MT/s而「發燒級」的有3200MT/s、在2012年推出市場、在2013年它的運行電壓將改進至只有1伏。 ssdram DDR4-SDRAM提供比DDR3/DDR2-SDRAM更低的供電電壓以及更高的頻寬，但由於電壓標準、物理介面等諸多設計與DDR3-SDRAM等的不一致，因此DDR4-SDRAM與前代DDR3/DDR2/DDR等一樣，不會向下相容。 現時，超微和英特爾兩大x86處理器廠商推出的大部分處理器產品都支援DDR4-SDRAM。
另一個極限是CAS等待時間，是指提供一個地址與接受到相關數據之間的間隔。 這個也保持了相對穩定，最近幾代DDR SDRAM的這個數據爲10-15納秒。 在操作上,對DRAM控制器來說CAS latency是一個已知的clock cycles特定數字, 這數字會被登錄在SDRAM模式註冊表中.在時鐘速率很快的情況下，CAS等待時間相對的時鐘週期數自然就會增加。 10-15納秒對200MHZ時鐘頻率的DDR-400 SDRAM就是2-3個週期，對DDR2-800就是4-6個週期，DDR3-1600就是8-12個週期。 比較慢的時鐘週期，CAS等待時間相對的週期數也會比較少。
每個 DRAM 基本儲存單元的電路結構非常的簡單，所以功耗低、價格也較低。 這樣一來用低成本就能製造出大儲存容量的 DRAM 晶片。 缺點就是讀寫的速度慢（電容要充電、放電），影響了 DRAM 的性能。
當在同一個bank羣組中存取不同的bank單元時會有另外的時間限制；在不同的bank羣組中，存取一個bank比以往的更快。 另外，A12被用作請求突發突變（burst chop）：在 ssdram2025 4 transfers 進行以後截斷一個 8-transfer 突發。 儘管直到8個傳輸時間過去之前bank仍然處於忙碌狀態並且其他命令不可用，不同的bank可供存取。 2012年9月，JEDEC宣佈DDR4 SDRAM的最終規格，正式成為DDR3 SDRAM的後繼記憶體標準。
ssdram: 揮發性記憶體（DRAM / SRAM）構造剖析
可知個人電腦對於能取代 HDD 的 SSD 需求是多急迫。 雖然 ROM 在不供應電源下、資料也不會消失，但上面的電路都是一開始就已經設計規劃好，資料都是固定的、不能做任何的更改。 因此 ROM 上的資料只能被讀取，而不能做任何寫入的動作。 常見的儲存單元包含了 4 bit 或 8 bit，每一個 bit 都會採用一個電路結構，我們稱為 DRAM 的一個「基本儲存單元」。 然後就可以視電容器是否有充電電荷存在、來判別目前的記憶狀態。 越上層（越靠近 CPU），速度就越快、價格越高、容量越低；像是現在花 3000 元就可以買到 1 TB 的硬碟，而 16 GB 的記憶體卻高達 5000 元。
ssdram: 模組封裝
創見DrivePro Body 30穿戴式攝影機採用高感光元件及紅外線照明技術，可錄製高畫質影片。 防塵防水的堅固保護、高儲存容量，以及高達12小時的錄影時間專為軍警消專業人士所設計。 ssdram2025 DrivePro Body 30亦包含精選配件及實用軟體，方便使用者靈活運用裝置、簡便管理影像資料。 Photo Credit：人易科技過去，在雲端技術與數位轉型的浪潮席捲全球之時，多數人還是對「網路資訊安全」存在許多疑慮，迫使企業遲遲無法踏出產業升級的第一步，且雲端人資系統提供企業考勤、計薪、排班、績效考覈等功能，儲存了大量的公司重要機密與個人資料。 由於 SSD 的價格比 HDD 貴、壽命也比較短，所以對企業級伺服器來說——不會有什麼震動、大規模儲存成本低、資料儲存時間長，還是以 HDD 為主要應用。 不過未來也將慢慢以 SSD 硬碟為主，原因不外乎速度快、成本越來越低，最重要還是耗能比傳統硬碟低，在這個越來越講求環保的時代著實是個優勢。
ssdram: 記憶體和硬碟差在哪？
創見ESD380C行動固態硬碟搭載USB 3.2 Gen 2×2傳輸介面，創造史無前例的傳輸速度。 輕巧的外觀可儲存高達4TB的資料，無疑是行動儲存的最佳選擇。 NUEIP 人易科技日前取得 ISO / IEC 27001：2013 資訊安全管理系統，通過認證不但代表了第三方國際機構對人易科技資安上的認可，也深化了企業客戶對 NUEIP 雲端企業管理平臺的信賴感。 想想從 ssdram 1980 年代開始至今，三十多年來 CPU 的效能增長超過 10,000 ssdram 倍，DRAM 的效能成長卻不到 10 倍。 （這是因為要減少電容充電放電的時間，是一件非常困難的事情）硬碟呢？ 比起記憶體，更是慢的跟巨型烏龜一樣，十多年纔好不容易從 5200 轉爬到 7200 轉。
數據匯流排的存取機制很複雜，需要一個複雜的DRAM控制器。 這是因為寫入DRAM的數據必需和一個寫入指令在同一個時脈中，而讀取數據可以在讀取指令後的2到3個時脈進行。 顯然，這與預充電管理策略有着直接的關係，目前有兩種方法來儘量提高PHR。 自動預充電技術就是其中之一，它自動的在每次行操作之後進行預充電，從而減少了日後對同一L-Bank不同行尋址時發生衝突的可能性。 但是，如果要在當前行工作完成後馬上打開同一L-Bank的另一行工作時，仍然存在tRP的延遲。 同步動態隨機存取內存（synchronous dynamic random-access memory，簡稱SDRAM）是有一個同步接口的動態隨機存取內存（DRAM）。
如果要進一步定義隨機存取記憶體的話，確實有多種不同類型的 RAM，適合各種不同用途。 DRAM 是最常見的 RAM，其代表動態隨機存取記憶體。 兩種 RAM 皆為揮發性，代表其攜帶資訊在電腦電源關閉後不會被儲存。 單資料流SDRAM（SDR SDRAM）被視最早的SDRAM，單資料流SDRAM在每個時脈可以接收一個指令和傳輸一個位元組。 典型的時脈為66、100和133MHz(週期分別爲15、10和7.5奈秒)時脈到150MHz的則可用於性能的發燒友。 晶片有多種不同的數據匯流排寬度（最常見的是4、8或16bits），但是晶片一般被做成168-pin的DIMM模組，可以同時讀寫64bits(非ECC)或72bits。